MOS管導(dǎo)通特性，導(dǎo)通的意義是作為開(kāi)關(guān)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適宜用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只需柵極電壓抵達(dá)4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適宜用于源極接VCC時(shí)的情況。美高森美MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管/功率模塊/APT系列

MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常簡(jiǎn)稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件。和普通雙極型晶體管相比擬，場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特性，場(chǎng)效應(yīng)管的品種很多，主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管兩大類(lèi)，又都有N溝道和P溝道之分。低功率艾賽斯IXYS模塊MOS管場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)關(guān)

MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(Insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的Source和Drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型Backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱(chēng)的。艾賽斯模塊MOS管現(xiàn)貨供應(yīng)

MOS管的英文全稱(chēng)叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時(shí)被稱(chēng)為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管/三極管/場(chǎng)效應(yīng)管 德國(guó)IXYS艾賽斯

MOS具有以下特點(diǎn)：開(kāi)關(guān)速度快、高頻率性能好、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、熱穩(wěn)定性?xún)?yōu)良、無(wú)二次擊穿問(wèn)題、全工作區(qū)寬、工作線(xiàn)性度高等。其最重要的有點(diǎn)就是能夠減少體積大小與重量，提供給設(shè)計(jì)者一種高速度、高功率、高電壓與高增益的元件。在各類(lèi)中小功率開(kāi)關(guān)電路中應(yīng)用極為廣泛。 艾賽斯IXYS場(chǎng)效應(yīng)管MOS管觸發(fā)開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)模塊