三菱MITSUBISHI模塊現貨供應一件可發，絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）...

晶體閘流管（Thyristor）又稱作可控硅整流器，曾被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發出晶閘管產品，并于1958年使其商業化。晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極...

晶閘管模塊又稱可控硅模塊，必須配觸發電路和保護電路使用，一般用開關場合配過零觸發電路。在調節負載功率大小時配移相觸發電路來控制可控硅導通角大小改變負載大小，整流管模塊一般用整流，續流電路中。全新現貨日...

晶體閘流管（Thyristor）又稱作可控硅整流器，曾被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發出晶閘管產品，并于1958年使其商業化。晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極...

整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉變為直流電的半導體器件。二極管最重要的特性就是單方向導電性。在電路中，電流只能從二極管的正極流入，負極流出。通常它包含一個PN結，有正極和...

肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用...

肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用...

熔斷器（fuse）是指當電流超過規定值時，以本身產生的熱量使熔體熔斷，斷開電路的一種電器。熔斷器是根據電流超過規定值一段時間后，以其自身產生的熱量使熔體熔化，從而使電路斷開；運用這種原理制成的一種電流...

肖特基二極管肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用...

MOS晶體管模塊GENESIC現貨供應，MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-...