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Product Center艾賽斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA
產品簡介
| 品牌 | 其他品牌 | 應用領域 | 醫療衛生,電子/電池,道路/軌道/船舶,航空航天,汽車及零部件 |
|---|---|---|---|
| 產品種類 | 半導體模塊 | 電流電壓 | 2*1200V |
| 電流電源 | 80-100A | 封裝 | 標準封裝 |
| 重量 | 30G | 顏色 | 黑色 |
艾賽斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA/CLA110MB1200NA
可控硅-主要參數
1、額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。
3、反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。
4、控制極觸發電流Ig1、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極--陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。
5、維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。
可控硅-參數符號說明
IT(AV)--通態平均電流
VRRM--反向重復峰值電壓IDRM--斷態重復峰值電流
ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流
VTM--通態峰值電壓
IGT--門極觸發電流
VGT--門極觸發電壓
IH--維持電流
dv/dt--斷態電壓臨界上升率
di/dt--通態電流臨界上升率
Rthjc--結殼熱阻
VISO--模塊絕緣電壓
Tjm--額定結溫
VDRM--通態重復峰值電壓
IRRM--反向重復峰值電流
IF(AV)--正向平均電流
艾賽斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA/CLA110MB1200NA 1200V/1600V ，更多品牌系列，請聯系客服
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